Το STN4NF06L είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STN4NF06L, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STN4NF06L μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STN4NF06L με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STN4NF06L
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STN4NF06L
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 44962 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STN4NF06L.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-223 |
| Σειρά: | STripFET™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 3.3W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-261-4, TO-261AA |
| Αλλα ονόματα: | 497-10315-2 STN4NF06L-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 9nC @ 5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 60V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 60V 4A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STN4NF06L
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STN3NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN690A | STMicroelectronics | TRANS NPN 30V 3A SOT223 | Έρευνα |
|
STN5PF02V | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 | Έρευνα |
|
STN851 | STMicroelectronics | TRANS NPN 60V 5A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN3PF06 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223 | Έρευνα |
|
STN2NE10L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN715 | STMicroelectronics | TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN3N40K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | Έρευνα |
|
STN3N45K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223 | Έρευνα |
 |
STN4NF20L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN724 | STMicroelectronics | TRANS NPN 30V 3A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN4NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | Έρευνα |
|
STN817A | STMicroelectronics | TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN790A | STMicroelectronics | TRANS PNP 30V 3A SOT223 | Έρευνα |
|
STN3NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 | Έρευνα |
|
STN3P6F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V SOT-223 | Έρευνα |
|
STN2NE10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN83003 | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN2NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN749 | STMicroelectronics | TRANS PNP 25V 3A SOT223 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί