Το STN3PF06 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την STN3PF06, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το STN3PF06 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε STN3PF06 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
STN3PF06
- Αριθμός εξαρτήματος:
- STN3PF06
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26578 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- STN3PF06.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-223 |
| Σειρά: | STripFET™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 220 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 2.5W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-261-4, TO-261AA |
| Αλλα ονόματα: | 497-4116-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 60V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 60V 2.5A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για STN3PF06
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
STN749 | STMicroelectronics | TRANS PNP 25V 3A SOT223 | Έρευνα |
|
STN817A | STMicroelectronics | TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN3N40K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | Έρευνα |
|
STN4NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | Έρευνα |
|
STN4NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN715 | STMicroelectronics | TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223 | Έρευνα |
 |
STN4NF20L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN790A | STMicroelectronics | TRANS PNP 30V 3A SOT223 | Έρευνα |
|
STN690A | STMicroelectronics | TRANS NPN 30V 3A SOT223 | Έρευνα |
|
STN2580 | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN724 | STMicroelectronics | TRANS NPN 30V 3A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN3NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 | Έρευνα |
|
STN2NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN1NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 | Έρευνα |
|
STN2NE10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN5PF02V | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 | Έρευνα |
|
STN3N45K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN3NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN2NE10L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223 | Έρευνα |
|
STN3P6F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V SOT-223 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών