Το SI4310BDY-T1-E3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SI4310BDY-T1-E3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SI4310BDY-T1-E3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SI4310BDY-T1-E3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SI4310BDY-T1-E3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SI4310BDY-T1-E3
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57390 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SI4310BDY-T1-E3.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 14-SOIC |
| Σειρά: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 10A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 1.14W, 1.47W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 7.5A, 9.8A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SI4310BDY-T1-E3
Latest Ειδήσεις
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash