SI4310BDY-T1-E3 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SI4310BDY-T1-E3, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SI4310BDY-T1-E3 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SI4310BDY-T1-E3 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SI4310BDY-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI4310BDY-T1-E3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57390 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SI4310BDY-T1-E3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 14-SOIC |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 10A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.14W, 1.47W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.5A, 9.8A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SI4310BDY-T1-E3
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash