Το SH8M70TB1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SH8M70TB1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SH8M70TB1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SH8M70TB1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SH8M70TB1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SH8M70TB1
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32511 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SH8M70TB1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SOP |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 2W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | SH8M70TB1TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 5.2nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N and P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 250V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2.5A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | *M70 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SH8M70TB1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SH8M11TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP | Έρευνα |
 |
SH8KA2GZETB | LAPIS Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | Έρευνα |
|
SH8K3TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M2TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8K5TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M12TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M14TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP | Έρευνα |
|
SH8K3TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M41TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M41GZETB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP | Έρευνα |
 |
SH8M4TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | Έρευνα |
 |
SH8K2TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M24TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M13GZETB | LAPIS Semiconductor | MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL | Έρευνα |
|
SH8M3TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8K41GZETB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP | Έρευνα |
|
SH8M5TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8KA4TB | LAPIS Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | Έρευνα |
|
SH8K32TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8K4TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash