Το SH8M12TB1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SH8M12TB1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SH8M12TB1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SH8M12TB1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SH8M12TB1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SH8M12TB1
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32283 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SH8M12TB1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SOP |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 5A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 2W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 4nC @ 5V |
| FET Τύπος: | N and P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 5A, 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SH8M12TB1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SH8K2TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | Έρευνα |
 |
SH8M41GZETB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP | Έρευνα |
 |
SH8K3TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M41TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M5TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8KA2GZETB | LAPIS Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | Έρευνα |
|
SH8M2TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M70TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M11TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP | Έρευνα |
|
SH8M24TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8K3TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8K4TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M14TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP | Έρευνα |
|
SH8KA4TB | LAPIS Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | Έρευνα |
|
SH8K5TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8 | Έρευνα |
 |
SH8M4TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | Έρευνα |
|
SH8K41GZETB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP | Έρευνα |
|
SH8K32TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M3TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SH8M13GZETB | LAPIS Semiconductor | MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών