Το R6030635ESYA είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6030635ESYA, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6030635ESYA μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6030635ESYA με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
R6030635ESYA
- Αριθμός εξαρτήματος:
- R6030635ESYA
- Κατασκευαστής:
- Powerex, Inc.
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 24523 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- R6030635ESYA.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.5V @ 800A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-205AB, DO-9 |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 2µs |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -45°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 600V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 50mA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 350A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για R6030635ESYA
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
R6030KNXC7 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | Έρευνα |
 |
R6025FNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | Έρευνα |
 |
R6030235ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030835ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB | Έρευνα |
 |
R6030ENZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | Έρευνα |
|
R6030225HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | Έρευνα |
|
R6030622PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030222PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030825HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030KNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 | Έρευνα |
|
R6030422PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030KNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF | Έρευνα |
|
R6030435ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB | Έρευνα |
|
R6025FNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | Έρευνα |
|
R6030625HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030822PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB | Έρευνα |
|
R6030ENZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF | Έρευνα |
|
R6030KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM | Έρευνα |
|
R6030425HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο