R6030ENZ1C9
R6030ENZ1C9
Αριθμός εξαρτήματος:
R6030ENZ1C9
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
27647 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
R6030ENZ1C9.pdf

Εισαγωγή

Το R6030ENZ1C9 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6030ENZ1C9, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6030ENZ1C9 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6030ENZ1C9 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 14.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):120W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:17 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:85nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις