Το R6020KNZC8 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6020KNZC8, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6020KNZC8 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6020KNZC8 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
R6020KNZC8
- Αριθμός εξαρτήματος:
- R6020KNZC8
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 22178 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- R6020KNZC8.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-3PF |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 68W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-3P-3 Full Pack |
| Αλλα ονόματα: | R6020KNZC8TR R6020KNZC8TR-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 15 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 600V 20A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-3PF |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για R6020KNZC8
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
R6021425HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6021435ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 | Έρευνα |
 |
R6020KNJTL | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 20A POWER MOSFET | Έρευνα |
 |
R6020FNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM | Έρευνα |
|
R6020ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A LPT | Έρευνα |
 |
R6020ENZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF | Έρευνα |
|
R6021035ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 | Έρευνα |
|
R6020FNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A LPT | Έρευνα |
|
R6020ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 | Έρευνα |
|
R6021025HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 | Έρευνα |
|
R6021022PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 | Έρευνα |
|
R6020ANZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF | Έρευνα |
|
R6024ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | Έρευνα |
|
R6021235ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 | Έρευνα |
|
R6021225HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | Έρευνα |
 |
R6020ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 | Έρευνα |
|
R6020KNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 20A POWER MOSFET | Έρευνα |
|
R6024ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A LPT | Έρευνα |
|
R6021222PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 | Έρευνα |
|
R6020KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί