Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R6020FNJTL
R6020FNJTL
R6020FNJTL
Αριθμός εξαρτήματος:
R6020FNJTL
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
35672 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.R6020FNJTL.pdf2.R6020FNJTL.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το R6020FNJTL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6020FNJTL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6020FNJTL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6020FNJTL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:LPTS
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):50W (Tc)
Συσκευασία:Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα:R6020FNJTLDKR
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2350pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:60nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 20A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για R6020FNJTL

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
R6021022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 Έρευνα
R6020822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB Έρευνα
R6020ENZC8 Image R6020ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Έρευνα
R6020ENX Image R6020ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Έρευνα
R6021222PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 Έρευνα
R6020KNJTL Image R6020KNJTL LAPIS Semiconductor NCH 600V 20A POWER MOSFET Έρευνα
R6020835ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB Έρευνα
R6020KNZC8 Image R6020KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF Έρευνα
R6021225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 Έρευνα
R6020ANZC8 Image R6020ANZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Έρευνα
R6020ANX Image R6020ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM Έρευνα
R6020ENZ1C9 Image R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Έρευνα
R6020ANJTL Image R6020ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Έρευνα
R6020825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB Έρευνα
R6021035ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 Έρευνα
R6020KNX Image R6020KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Έρευνα
R6021025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 Έρευνα
R6020KNZ1C9 Image R6020KNZ1C9 LAPIS Semiconductor NCH 600V 20A POWER MOSFET Έρευνα
R6020FNX Image R6020FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM Έρευνα
R6020ENJTL Image R6020ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPT Έρευνα

Latest Ειδήσεις