Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R6011KNX
R6011KNX
R6011KNX
Αριθμός εξαρτήματος:
R6011KNX
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
46056 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
R6011KNX.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το R6011KNX είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6011KNX, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6011KNX μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6011KNX με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220FM
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 3.8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):53W (Tc)
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3 Full Pack
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:13 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:22nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:Schottky Diode (Isolated)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 11A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για R6011KNX

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
R6011230XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 Έρευνα
R6012225XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 Έρευνα
R6012030XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 Έρευνα
R6015ANJTL Image R6015ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Έρευνα
R6011KNJTL Image R6011KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263 Έρευνα
R6011825XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 Έρευνα
R6012ANX Image R6012ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM Έρευνα
R6012425XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 Έρευνα
R6011ENJTL Image R6011ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A LPT Έρευνα
R6011830XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 Έρευνα
R6012FNX Image R6012FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM Έρευνα
R6011625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 Έρευνα
R6012ANJTL Image R6012ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Έρευνα
R6011ENX Image R6011ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Έρευνα
R6012025XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 Έρευνα
R6012625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 Έρευνα
R6011430XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 Έρευνα
R6011425XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 Έρευνα
R6012FNJTL Image R6012FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 12A LPT Έρευνα
R6011630XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 Έρευνα

Latest Ειδήσεις