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R6011KNX
- Modello di prodotti:
- R6011KNX
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 46056 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- R6011KNX.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220FM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 390 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 53W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 740pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 11A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per R6011KNX
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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R6011230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | Inchiesta |
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R6012225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | Inchiesta |
|
R6012030XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | Inchiesta |
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R6015ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Inchiesta |
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R6011KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263 | Inchiesta |
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R6011825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | Inchiesta |
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R6012ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM | Inchiesta |
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R6012425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | Inchiesta |
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R6011ENJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A LPT | Inchiesta |
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R6011830XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | Inchiesta |
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R6012FNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM | Inchiesta |
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R6011625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | Inchiesta |
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R6012ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Inchiesta |
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R6011ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | Inchiesta |
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R6012025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | Inchiesta |
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R6012625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | Inchiesta |
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R6011425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Inchiesta |
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R6012FNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A LPT | Inchiesta |
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R6011630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | Inchiesta |
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