Το PMPB29XPEAX είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMPB29XPEAX, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMPB29XPEAX μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMPB29XPEAX με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMPB29XPEAX
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMPB29XPEAX
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- PMPB29XPEA/SOT1220/SOT1220
- Ποσότητα αποθέματος:
- 51608 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMPB29XPEAX.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN2020MD-6 |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 1727-7842-2 934070928115 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2970pF @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 20V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 20V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMPB29XPEAX
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB48EP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB25ENEAX | Nexperia | PMPB25ENEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB43XPEAX | Nexperia | PMPB43XPEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB25ENEX | Nexperia | PMPB25ENE/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB27EP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB23XNE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB40SNA,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | Έρευνα |
 |
PMPB29XNEAX | Nexperia | PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB23XNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN2020MD | Έρευνα |
|
PMPB29XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB33XN,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB27EPAX | Nexperia | PMPB27EPA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB30XPEX | Nexperia | PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB43XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB47XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB48EPAX | Nexperia | PMPB48EPA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB50ENEAX | Nexperia | PMPB50ENEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB33XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB29XNE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB23XNEAX | Nexperia | PMPB23XNEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC