Το PMPB48EPAX είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMPB48EPAX, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMPB48EPAX μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMPB48EPAX με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMPB48EPAX
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMPB48EPAX
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- PMPB48EPA/SOT1220/SOT1220
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32662 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMPB48EPAX.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN2020MD-6 |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 934070933115 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 30V 4.7A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 4.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMPB48EPAX
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB29XNE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN | Έρευνα |
 |
PMPB29XNEAX | Nexperia | PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB48EP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB33XN,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB95ENEA/FX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD | Έρευνα |
|
PMPB85ENEA/FX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD | Έρευνα |
|
PMPB50ENEX | Nexperia | PMPB50ENE/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB47XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB43XPEAX | Nexperia | PMPB43XPEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB29XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB55ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD | Έρευνα |
|
PMPB95ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB85ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB50ENEAX | Nexperia | PMPB50ENEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB29XPEAX | Nexperia | PMPB29XPEA/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
|
PMPB55XNEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN2020MD | Έρευνα |
|
PMPB43XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB40SNA,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB33XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMPB30XPEX | Nexperia | PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών