Το PMCXB1000UEZ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMCXB1000UEZ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMCXB1000UEZ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMCXB1000UEZ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMCXB1000UEZ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMCXB1000UEZ
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49934 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMCXB1000UEZ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN1010B-6 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Ισχύς - Max: | 285mW (Ta) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2737-2 568-13301-2 568-13301-2-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | N and P-Channel Complementary |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 590mA (Ta), 410mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount DFN1010B-6 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 590mA (Ta), 410mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMCXB1000UEZ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMCM6501VPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V 6WLCSP | Έρευνα |
|
PMCM650VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 4WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM4401UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM440VNE/S500Z | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM4401VNEAZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM6501UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCPB5530X,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON | Έρευνα |
|
PMCM4401UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM6501UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP | Έρευνα |
|
PMCM4402UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP | Έρευνα |
|
PMC85XP,115 | Nexperia | MOSFET NPN/P CH 30V 2.6A 6HUSON | Έρευνα |
|
PMCM6501VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 6WLCSP | Έρευνα |
|
PMCM650CUNEZ | Nexperia | PMCM650CUNE NAX000 NONE | Έρευνα |
 |
PMCXB900UEZ | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMCM4401VPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V WLCSP | Έρευνα |
|
PMCXB900UE | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | Έρευνα |
 |
PMCM440VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 4WLCSP | Έρευνα |
|
PMCM650VNE/S500Z | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP | Έρευνα |
|
PMCXB900UEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | Έρευνα |
|
PMCXB900UELZ | Nexperia | 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο