Το PMCM440VNE/S500Z είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMCM440VNE/S500Z, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMCM440VNE/S500Z μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMCM440VNE/S500Z με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMCM440VNE/S500Z
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMCM440VNE/S500Z
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58527 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMCM440VNE/S500Z.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 4-WLCSP (0.78x0.78) |
| Σειρά: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 67 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 12.5W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-XFBGA, WLCSP |
| Αλλα ονόματα: | 934069563084 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 6V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 8.2nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 12V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 12V 5A (Ta) 12.5W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (0.78x0.78) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMCM440VNE/S500Z
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMCM650VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 4WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM440VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 4WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM4401VNEAZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCPB5530X,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON | Έρευνα |
|
PMCM4401VPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V WLCSP | Έρευνα |
 |
PMC1812-121 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 120 OHM 1812 1LN | Έρευνα |
 |
PMCM650VNE/S500Z | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM6501UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP | Έρευνα |
|
PMCM4402UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP | Έρευνα |
|
PMC1806-600 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 60 OHM 1806 1LN | Έρευνα |
|
PMC1812-101 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 100 OHM 1812 1LN | Έρευνα |
|
PMCM6501VPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V 6WLCSP | Έρευνα |
|
PMCM6501VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 6WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCXB1000UEZ | Nexperia | MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 | Έρευνα |
|
PMCM650CUNEZ | Nexperia | PMCM650CUNE NAX000 NONE | Έρευνα |
 |
PMCM6501UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP | Έρευνα |
 |
PMCM4401UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP | Έρευνα |
|
PMC1806-151 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 150 OHM 1806 1LN | Έρευνα |
|
PMCM4401UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP | Έρευνα |
|
PMC85XP,115 | Nexperia | MOSFET NPN/P CH 30V 2.6A 6HUSON | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών