Το PDTD123TS,126 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PDTD123TS,126, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PDTD123TS,126 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PDTD123TS,126 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PDTD123TS,126
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PDTD123TS,126
- Κατασκευαστής:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Περιγραφή:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55400 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PDTD123TS,126.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| transistor Τύπος: | NPN - Pre-Biased |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-92-3 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 2.2 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 500mW |
| Συσκευασία: | Tape & Box (TB) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Αλλα ονόματα: | 934059726126 PDTD123TS AMO PDTD123TS AMO-ND |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 500mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PDTD123 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PDTD123TS,126
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PDTD123YS,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Έρευνα |
 |
PDTD123YT,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | Έρευνα |
|
PDTD123ET,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | Έρευνα |
 |
PDTD114EUX | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD114EUF | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD123YUF | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD123EUX | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD123ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Έρευνα |
 |
PDTD143EQAZ | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 3DFN | Έρευνα |
|
PDTD114ETVL | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
 |
PDTD123EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Έρευνα |
|
PDTD123EUF | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD143ETVL | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD123YQAZ | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 3DFN | Έρευνα |
|
PDTD123YK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Έρευνα |
|
PDTD123TT,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | Έρευνα |
|
PDTD123EQAZ | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 3DFN | Έρευνα |
|
PDTD123TK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Έρευνα |
|
PDTD143ETR | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD123YUX | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών