Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTD123TS,126
PDTD123TS,126
PDTD123TS,126
Modèle de produit:
PDTD123TS,126
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
55400 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PDTD123TS,126.pdf
Enquête

introduction

PDTD123TS,126 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour PDTD123TS,126, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour PDTD123TS,126 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez PDTD123TS,126 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:TO-92-3
Séries:-
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:500mW
Emballage:Tape & Box (TB)
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Autres noms:934059726126
PDTD123TS AMO
PDTD123TS AMO-ND
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:PDTD123
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes PDTD123TS,126

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
PDTD123YS,126 Image PDTD123YS,126 NXP Semiconductors / Freescale TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Enquête
PDTD123YT,215 Image PDTD123YT,215 Nexperia TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Enquête
PDTD123ET,215 Image PDTD123ET,215 Nexperia TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Enquête
PDTD114EUX Image PDTD114EUX Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD114EUF Image PDTD114EUF Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD123YUF Image PDTD123YUF Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD123EUX Image PDTD123EUX Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD123ES,126 Image PDTD123ES,126 NXP Semiconductors / Freescale TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Enquête
PDTD143EQAZ Image PDTD143EQAZ Nexperia TRANS PREBIAS NPN 3DFN Enquête
PDTD114ETVL Image PDTD114ETVL Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD123EK,115 NXP Semiconductors / Freescale TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Enquête
PDTD123EUF Image PDTD123EUF Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD143ETVL Image PDTD143ETVL Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD123YQAZ Image PDTD123YQAZ Nexperia TRANS PREBIAS NPN 3DFN Enquête
PDTD123YK,115 NXP Semiconductors / Freescale TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Enquête
PDTD123TT,215 Image PDTD123TT,215 Nexperia TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Enquête
PDTD123EQAZ Image PDTD123EQAZ Nexperia TRANS PREBIAS NPN 3DFN Enquête
PDTD123TK,115 NXP Semiconductors / Freescale TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Enquête
PDTD143ETR Image PDTD143ETR Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête
PDTD123YUX Image PDTD123YUX Nexperia TRANS PREBIAS NPN 0.425W Enquête

Latest Nouvelles