Το PDTD114EUF είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PDTD114EUF, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PDTD114EUF μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PDTD114EUF με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PDTD114EUF
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PDTD114EUF
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS PREBIAS NPN 0.425W
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27956 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PDTD114EUF.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| transistor Τύπος: | NPN - Pre-Biased |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-323-3 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 10 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 10 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 300mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-70, SOT-323 |
| Αλλα ονόματα: | 934068346135 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 225MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PDTD114EUF
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PDTD113ZK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Έρευνα |
 |
PDTD123EUF | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
 |
PDTD114EQAZ | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 3DFN | Έρευνα |
|
PDTD113ZUX | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
 |
PDTD114ETVL | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD123EUX | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
 |
PDTD123ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Έρευνα |
|
PDTD123TT,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | Έρευνα |
|
PDTD123TS,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Έρευνα |
|
PDTD114EUX | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD113ZT,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | Έρευνα |
|
PDTD114ETR | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD113ZS,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Έρευνα |
|
PDTD113ZQAZ | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 3DFN | Έρευνα |
|
PDTD123TK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Έρευνα |
|
PDTD123EQAZ | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 3DFN | Έρευνα |
|
PDTD113ZUF | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 0.425W | Έρευνα |
|
PDTD113ZTVL | Nexperia | PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB | Έρευνα |
|
PDTD123EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Έρευνα |
|
PDTD123ET,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο