Το PBSS4230T,215 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PBSS4230T,215, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PBSS4230T,215 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PBSS4230T,215 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PBSS4230T,215
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PBSS4230T,215
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 30V 2A SOT23
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42239 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PBSS4230T,215.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 30V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 320mV @ 200mA, 2A |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-236AB (SOT23) |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 480mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-3898-2 568-4155-2 568-4155-2-ND 934057986215 PBSS4230T T/R PBSS4230T T/R-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 230MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 2A 230MHz 480mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 1A, 2V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 2A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PBSS4230 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PBSS4230T,215
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4240XF | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS4240XF | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN 40V 2A SOT89 | Έρευνα |
 |
PBSS4240Y,115 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A 6TSSOP | Έρευνα |
 |
PBSS4160XX | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Έρευνα |
|
PBSS4160XF | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Έρευνα |
 |
PBSS4240T,215 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT23 | Έρευνα |
 |
PBSS4240ZX | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT223 | Έρευνα |
 |
PBSS4240V,115 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT666 | Έρευνα |
|
PBSS4220V,115 | Nexperia | TRANS NPN 20V 2A SOT666 | Έρευνα |
 |
PBSS4160U,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 | Έρευνα |
 |
PBSS4220PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 20V 2A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4240DPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 40V 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS4230PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4230QAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 | Έρευνα |
 |
PBSS4240TVL | Nexperia | PBSS4240T/SOT23/TO-236AB | Έρευνα |
|
PBSS4230QAZ | Nexperia | TRANS NPN 30V 2A 3DFN | Έρευνα |
|
PBSS4160V,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.9A SOT666 | Έρευνα |
|
PBSS4240XX | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS4230PAN,115 | Nexperia | TRANS 30V 2A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4240ZF | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT223 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο