Το PBSS4220PANSX είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PBSS4220PANSX, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PBSS4220PANSX μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PBSS4220PANSX με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PBSS4220PANSX
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PBSS4220PANSX
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS 2NPN 20V 2A 6HUSON
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49469 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PBSS4220PANSX.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 20V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 320mV @ 200mA, 2A |
| transistor Τύπος: | 2 NPN (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN2020D-6 |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Ισχύς - Max: | 370mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2517-2 568-12956-2-ND 934069679115 PBSS4220PANSX-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 120MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 2A 120MHz 370mW Surface Mount DFN2020D-6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 1A, 2V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PBSS4220PANSX
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4160PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4160PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4230T,215 | Nexperia | TRANS NPN 30V 2A SOT23 | Έρευνα |
|
PBSS4240T,215 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT23 | Έρευνα |
 |
PBSS4160XF | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Έρευνα |
 |
PBSS4240TVL | Nexperia | PBSS4240T/SOT23/TO-236AB | Έρευνα |
|
PBSS4230PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4160TVL | Nexperia | PBSS4160T/SOT23/TO-236AB | Έρευνα |
 |
PBSS4240DPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 40V 6TSOP | Έρευνα |
 |
PBSS4160V,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.9A SOT666 | Έρευνα |
|
PBSS4220V,115 | Nexperia | TRANS NPN 20V 2A SOT666 | Έρευνα |
|
PBSS4160XX | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Έρευνα |
|
PBSS4230PAN,115 | Nexperia | TRANS 30V 2A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4160QAZ | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A 3DFN | Έρευνα |
|
PBSS4160T,215 | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A SOT23 | Έρευνα |
|
PBSS4230QAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 | Έρευνα |
|
PBSS4160PANPSX | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4160U,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 | Έρευνα |
|
PBSS4230QAZ | Nexperia | TRANS NPN 30V 2A 3DFN | Έρευνα |
|
PBSS4240V,115 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT666 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών