Το PBSS4160PANSX είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PBSS4160PANSX, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PBSS4160PANSX μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PBSS4160PANSX με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PBSS4160PANSX
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PBSS4160PANSX
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40992 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PBSS4160PANSX.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 60V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 120mV @ 50mA, 500mA |
| transistor Τύπος: | 2 NPN (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN2020D-6 |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Ισχύς - Max: | 370mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2516-2 568-12955-2-ND 934068999115 PBSS4160PANSX-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 175MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 175MHz 370mW Surface Mount DFN2020D-6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 150 @ 500mA, 2V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PBSS4160PANSX
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4160QAZ | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A 3DFN | Έρευνα |
 |
PBSS4160PAN,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4160U,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 | Έρευνα |
 |
PBSS4160XX | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Έρευνα |
 |
PBSS4140V,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS NPN 40V 1A SOT666 | Έρευνα |
|
PBSS4160XF | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Έρευνα |
|
PBSS4160PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4160V,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.9A SOT666 | Έρευνα |
|
PBSS4140U,135 | Nexperia | TRANS NPN 40V 1A SOT323 | Έρευνα |
 |
PBSS4160DSZ | Nexperia | PBSS4160DS/SOT457/SC-74 | Έρευνα |
 |
PBSS4160T,215 | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A SOT23 | Έρευνα |
|
PBSS4230PAN,115 | Nexperia | TRANS 30V 2A 6HUSON | Έρευνα |
 |
PBSS4160K,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS NPN 60V 0.75A SC59 | Έρευνα |
|
PBSS4160DPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS4160DS,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 1A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS4160PANPSX | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4220PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 20V 2A 6HUSON | Έρευνα |
|
PBSS4160DSH | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 0.87A SC-74 | Έρευνα |
 |
PBSS4160TVL | Nexperia | PBSS4160T/SOT23/TO-236AB | Έρευνα |
|
PBSS4220V,115 | Nexperia | TRANS NPN 20V 2A SOT666 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών