Το MV2N5116 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MV2N5116, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MV2N5116 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MV2N5116 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MV2N5116
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MV2N5116
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- P CHANNEL JFET
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59611 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MV2N5116.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - αποκοπής (VGS εκτός) @ Id: | 6V @ 1nA |
| Τάσης - Ανάλυση (V (BR) GSS): | 30V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-18 (TO-206AA) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500 |
| Αντίσταση - RDS (on): | 100 Ohms |
| Ισχύς - Max: | 500mW |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 27pF @ 15V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Τρέχουσες - αποστράγγισης (IDSs) @ Vds (Vgs = 0): | 25mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MV2N5116
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MV2N4092 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4860 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4393 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4861 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4393UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4859 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4858 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4392UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4857UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4857 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4391UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4391 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4858UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4860UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4856UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4392 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
 |
MV2109RLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2 | Έρευνα |
|
MV2N4859UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N5114 | Microsemi | P CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4856 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED