Το MV2N4857 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MV2N4857, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MV2N4857 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MV2N4857 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MV2N4857
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MV2N4857
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- N CHANNEL JFET
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 53355 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MV2N4857.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - αποκοπής (VGS εκτός) @ Id: | 6V @ 500pA |
| Τάσης - Ανάλυση (V (BR) GSS): | 40V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-18 (TO-206AA) |
| Σειρά: | * |
| Αντίσταση - RDS (on): | 40 Ohms |
| Ισχύς - Max: | 360mW |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 18pF @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 40V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Τρέχουσες - αποστράγγισης (IDSs) @ Vds (Vgs = 0): | 100mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MV2N4857
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MV2109RLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2 | Έρευνα |
 |
MV2N4856UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N5116 | Microsemi | P CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4092 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4393 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4857UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4391 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4392 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4859 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4391UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4392UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4860UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4858UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4858 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4393UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4860 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4856 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4861 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N5114 | Microsemi | P CHANNEL JFET | Έρευνα |
|
MV2N4859UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS