Το MSA1162YT1G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MSA1162YT1G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MSA1162YT1G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MSA1162YT1G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MSA1162YT1G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MSA1162YT1G
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- TRANS PNP 50V 0.1A SC-59
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30124 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MSA1162YT1G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 10mA, 100mA |
| transistor Τύπος: | PNP |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SC-59 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 200mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 80MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount SC-59 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 2mA, 6V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | MSA1162 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MSA1162YT1G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MSAD36-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 36A D1 | Έρευνα |
 |
MSA1162YT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP 50V 0.1A SC-59 | Έρευνα |
 |
MSAD200-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 200A SD2 | Έρευνα |
 |
MSAD120-16 | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1600V 120A D1 | Έρευνα |
|
MSAD200-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 200A D2 | Έρευνα |
|
MSAD100-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 100A D1 | Έρευνα |
|
MSAD165-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 165A D2 | Έρευνα |
|
MSAD120-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 120A D1 | Έρευνα |
|
MSAD165-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 165A D2 | Έρευνα |
|
MSAD36-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 36A D1 | Έρευνα |
|
MSAD165-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 165A D2 | Έρευνα |
|
MSAD100-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 100A D1 | Έρευνα |
|
MSAD100-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 100A D1 | Έρευνα |
|
MSAD200-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 200A D2 | Έρευνα |
|
MSAD120-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 120A D1 | Έρευνα |
|
MSAD120-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 120A D1 | Έρευνα |
 |
MSAD100-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 100A D1 | Έρευνα |
|
MSA1162GT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP 50V 0.1A SC59 | Έρευνα |
|
MSAD36-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 36A D1 | Έρευνα |
|
MSAD200-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 200A D2 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών