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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > MSA1162YT1G
MSA1162YT1G
MSA1162YT1G
Modèle de produit:
MSA1162YT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP 50V 0.1A SC-59
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
30124 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MSA1162YT1G.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:SC-59
Séries:-
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:80MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount SC-59
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:MSA1162
Email:[email protected]

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