MSA1162YT1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MSA1162YT1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MSA1162YT1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MSA1162YT1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MSA1162YT1G
- رقم القطعة:
- MSA1162YT1G
- وصف:
- TRANS PNP 50V 0.1A SC-59
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30124 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MSA1162YT1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 500mV @ 10mA, 100mA |
| نوع الترانزستور: | PNP |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-59 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 200mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 80MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount SC-59 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 120 @ 2mA, 6V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
| رقم جزء القاعدة: | MSA1162 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMSA1162YT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MSAD36-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 36A D1 | تحقيق |
 |
MSA1162YT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP 50V 0.1A SC-59 | تحقيق |
 |
MSAD200-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 200A SD2 | تحقيق |
 |
MSAD120-16 | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1600V 120A D1 | تحقيق |
|
MSAD200-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 200A D2 | تحقيق |
|
MSAD100-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 100A D1 | تحقيق |
|
MSAD165-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 165A D2 | تحقيق |
|
MSAD120-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 120A D1 | تحقيق |
|
MSAD165-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 165A D2 | تحقيق |
|
MSAD36-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 36A D1 | تحقيق |
|
MSAD165-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 165A D2 | تحقيق |
|
MSAD100-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 100A D1 | تحقيق |
|
MSAD100-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 100A D1 | تحقيق |
|
MSAD200-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 200A D2 | تحقيق |
|
MSAD120-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 120A D1 | تحقيق |
|
MSAD120-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 120A D1 | تحقيق |
 |
MSAD100-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 100A D1 | تحقيق |
|
MSA1162GT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS PNP 50V 0.1A SC59 | تحقيق |
|
MSAD36-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 36A D1 | تحقيق |
|
MSAD200-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 200A D2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU