Το JANTXV1N6858UR-1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N6858UR-1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N6858UR-1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N6858UR-1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N6858UR-1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N6858UR-1
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 70V 75MA DO213AA
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 44263 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N6858UR-1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 75mA |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-213AA |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/444 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Αντίσταση @ Αν, F: | 4.5pF @ 0V, 1MHz |
| Πόλωση: | DO-213AA |
| Άλλα ονόματα: | 1086-15587-MIL |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JANTXV1N6858UR-1 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Schottky 70V 75mA Surface Mount DO-213AA |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 200nA @ 50V |
| Περιγραφή: | DIODE SCHOTTKY 70V 75MA DO213AA |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 650mV @ 15mA |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 70V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N6858UR-1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6844U3 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA U3 | Έρευνα |
|
JANTXV1N746DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N746C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N746D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6662US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N747AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA | Έρευνα |
 |
JANTXV1N746A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6845U3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N747C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6843CCU3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3 | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6864US | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6673 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 15A TO251 | Έρευνα |
|
JANTXV1N746CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6677UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6674 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 15A TO254 | Έρευνα |
|
JANTXV1N7039CCT1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6674R | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 15A D5D | Έρευνα |
|
JANTXV1N747A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC