Το JANTXV1N6662US είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N6662US, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N6662US μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N6662US με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N6662US
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N6662US
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59519 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N6662US.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 500mA |
| Τάσης - Ανάλυση: | D-5A |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/587 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | SQ-MELF, A |
| Άλλα ονόματα: | 1086-16025 1086-16025-MIL |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JANTXV1N6662US |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 400V 500mA Surface Mount D-5A |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 50nA @ 400V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1V @ 400mA |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 400V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N6662US
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6674 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 15A TO254 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6643US | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6858UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 70V 75MA DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6642US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 300MA D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6677UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6643U | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6643 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6660R | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6864US | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6660DT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6660CCT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6660CAT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N6844U3 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA U3 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6674R | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 15A D5D | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6843CCU3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6845U3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO41 | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6643US | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N6673 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 15A TO251 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική