Το JANTXV1N6627U είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N6627U, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N6627U μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N6627U με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N6627U
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N6627U
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38912 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N6627U.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.35V @ 2A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 400V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D-5B |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 30ns |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SQ-MELF, E |
| Αλλα ονόματα: | 1086-19983 1086-19983-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 400V 1.75A Surface Mount D-5B |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 2µA @ 400V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 1.75A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N6627U
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6631US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6630US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6630 | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6628US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6625 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6624 | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6629US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6631 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική