Το JANTXV1N6626U είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N6626U, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N6626U μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N6626U με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N6626U
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N6626U
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46534 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N6626U.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.75A |
| Τάσης - Ανάλυση: | D-5B |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | SQ-MELF, E |
| Άλλα ονόματα: | 1086-19980 1086-19980-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 30ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JANTXV1N6626U |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 200V 1.75A Surface Mount D-5B |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 2µA @ 200V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.35V @ 2A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 200V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N6626U
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6623 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6630 | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
 |
JANTXV1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N6624 | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6625 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6623U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6628US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6629US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N6627U | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο