Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTY10P15T
IXTY10P15T
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTY10P15T
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
53016 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTY10P15T.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTY10P15T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTY10P15T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTY10P15T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTY10P15T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-252
Σειρά:TrenchP™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:350 mOhm @ 5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):83W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2210pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:36nC @ 10V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):150V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 150V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTY10P15T

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTY1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 Έρευνα
IXTY06N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 Έρευνα
IXTY08N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 Έρευνα
IXTY15P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 Έρευνα
IXTY02N50D TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXTY02N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK Έρευνα
IXTY01N100D IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA Έρευνα
IXTY12N06T IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 Έρευνα
IXTY18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 Έρευνα
IXTY12N06TTRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 Έρευνα
IXTY08N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK Έρευνα
IXTY1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA Έρευνα
IXTY08N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK Έρευνα
IXTY08N120P Image IXTY08N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 Έρευνα
IXTY1N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 Έρευνα
IXTY01N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA Έρευνα
IXTY1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 Έρευνα
IXTY02N50D IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK Έρευνα
IXTY15N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 Έρευνα
IXTY1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 Έρευνα

Latest Ειδήσεις