Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTY08N50D2
IXTY08N50D2
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTY08N50D2
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
55276 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTY08N50D2.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTY08N50D2 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTY08N50D2, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTY08N50D2 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTY08N50D2 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-252, (D-Pak)
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Έκλυση ενέργειας (Max):60W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:312pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:12.7nC @ 5V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:Depletion Mode
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):500V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:800mA (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTY08N50D2

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTY01N100D IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA Έρευνα
IXTY06N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 Έρευνα
IXTY18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 Έρευνα
IXTY01N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK Έρευνα
IXTY02N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK Έρευνα
IXTY1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 Έρευνα
IXTY08N120P Image IXTY08N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 Έρευνα
IXTY1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 Έρευνα
IXTY02N50D TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXTY08N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 Έρευνα
IXTY08N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK Έρευνα
IXTY02N50D IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK Έρευνα
IXTY10P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 Έρευνα
IXTY15N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 Έρευνα
IXTY12N06TTRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 Έρευνα
IXTY15P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 Έρευνα
IXTY1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA Έρευνα
IXTY12N06T IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 Έρευνα
IXTY01N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA Έρευνα
IXTY1N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 Έρευνα

Latest Ειδήσεις