Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTU2N80P
IXTU2N80P
IXTU2N80P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTU2N80P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH TO-251
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
23940 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTU2N80P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTU2N80P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTU2N80P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTU2N80P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTU2N80P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-251
Σειρά:PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):70W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:10.6nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTU2N80P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTU8N70X2 Image IXTU8N70X2 IXYS Corporation MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 Έρευνα
IXTU64N055T Image IXTU64N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 Έρευνα
IXTU08N100P Image IXTU08N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 Έρευνα
IXTU5N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 Έρευνα
IXTU02N50D Image IXTU02N50D IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 Έρευνα
IXTU01N80 Image IXTU01N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 Έρευνα
IXTU05N100 Image IXTU05N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 Έρευνα
IXTV02N250S IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220 Έρευνα
IXTV03N400S IXYS Corporation MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 Έρευνα
IXTU1R4N60P Image IXTU1R4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 Έρευνα
IXTU06N120P Image IXTU06N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 Έρευνα
IXTV102N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 Έρευνα
IXTU44N10T Image IXTU44N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 44A TO-251 Έρευνα
IXTU01N100 Image IXTU01N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK Έρευνα
IXTU50N085T Image IXTU50N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 Έρευνα
IXTU12N06T Image IXTU12N06T IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 Έρευνα
IXTU55N075T Image IXTU55N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 55A TO-251 Έρευνα
IXTU01N100D Image IXTU01N100D IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 Έρευνα
IXTU05N120 Image IXTU05N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 Έρευνα
IXTV102N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 Έρευνα

Latest Ειδήσεις