IXTU2N80P
IXTU2N80P
Modelo do Produto:
IXTU2N80P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH TO-251
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
23940 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTU2N80P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251
Série:PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):70W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição detalhada:N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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