Το IXKP24N60C5M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXKP24N60C5M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXKP24N60C5M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXKP24N60C5M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXKP24N60C5M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXKP24N60C5M
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 48378 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXKP24N60C5M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 790µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220ABFP |
| Σειρά: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 165 mOhm @ 10A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | - |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 100V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 52nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | Super Junction |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 600V 8.5A (Tc) Through Hole TO-220ABFP |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 8.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXKP24N60C5M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXKN45N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B | Έρευνα |
 |
IXKT70N60C5-TRL | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 | Έρευνα |
 |
IXKP10N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | Έρευνα |
 |
IXKR25N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 | Έρευνα |
 |
IXKP13N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP | Έρευνα |
|
IXKP20N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB | Έρευνα |
|
IXKR40N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 | Έρευνα |
 |
IXKK85N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 | Έρευνα |
 |
IXKH35N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD | Έρευνα |
 |
IXKT70N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 | Έρευνα |
|
IXKP20N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP | Έρευνα |
|
IXKP35N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB | Έρευνα |
|
IXKH47N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Έρευνα |
|
IXKP10N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP | Έρευνα |
|
IXKN75N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXKR47N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXKP24N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB | Έρευνα |
|
IXKP13N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB | Έρευνα |
|
IXKH70N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD | Έρευνα |
|
IXKN40N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash