Το IXKN45N80C είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXKN45N80C, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXKN45N80C μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXKN45N80C με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXKN45N80C
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXKN45N80C
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30610 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXKN45N80C.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-227B |
| Σειρά: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 74 mOhm @ 44A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 380W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 360nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | Super Junction |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 800V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 800V 44A (Tc) 380W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 44A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXKN45N80C
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXKH35N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD | Έρευνα |
 |
IXKP10N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP | Έρευνα |
|
IXKH47N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Έρευνα |
|
IXKH70N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD | Έρευνα |
 |
IXKN40N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B | Έρευνα |
 |
IXKP35N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB | Έρευνα |
|
IXKP20N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB | Έρευνα |
|
IXKN75N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B | Έρευνα |
 |
IXKF40N60SCD1 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 | Έρευνα |
|
IXKP24N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP | Έρευνα |
|
IXKH20N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | Έρευνα |
|
IXKH24N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD | Έρευνα |
|
IXKG25N80C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 | Έρευνα |
|
IXKP13N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP | Έρευνα |
 |
IXKK85N60C | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 | Έρευνα |
|
IXKP24N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB | Έρευνα |
|
IXKP13N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB | Έρευνα |
|
IXKP20N60C5M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP | Έρευνα |
|
IXKP10N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | Έρευνα |
|
IXKH30N60C5 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών