Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT4N100Q
IXFT4N100Q
IXFT4N100Q
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT4N100Q
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
45382 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFT4N100Q.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFT4N100Q είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFT4N100Q, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFT4N100Q μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFT4N100Q με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):150W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:39nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1000V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-268
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFT4N100Q

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFT40N50Q Image IXFT40N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 Έρευνα
IXFT50N30Q3 Image IXFT50N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 Έρευνα
IXFT400N075T2 Image IXFT400N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 Έρευνα
IXFT40N30Q Image IXFT40N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 Έρευνα
IXFT58N20 Image IXFT58N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 Έρευνα
IXFT50N85XHV Image IXFT50N85XHV IXYS Corporation 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS Έρευνα
IXFT52N50P2 Image IXFT52N50P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A TO268 Έρευνα
IXFT50N60P3 Image IXFT50N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO268 Έρευνα
IXFT36N50P Image IXFT36N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 Έρευνα
IXFT44N50Q3 Image IXFT44N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 Έρευνα
IXFT40N30Q TR IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO268 Έρευνα
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 Έρευνα
IXFT52N30Q TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 52A TO268 Έρευνα
IXFT50N50P3 Image IXFT50N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 Έρευνα
IXFT50N20 Image IXFT50N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 Έρευνα
IXFT42N50P2 Image IXFT42N50P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 42A TO268 Έρευνα
IXFT40N85XHV Image IXFT40N85XHV IXYS Corporation MOSFET NCH 850V 40A TO268HV Έρευνα
IXFT44N50P Image IXFT44N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3 Έρευνα
IXFT52N30Q Image IXFT52N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 Έρευνα
IXFT50N60X Image IXFT50N60X IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO268 Έρευνα

Latest Ειδήσεις