Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT52N50P2
IXFT52N50P2
IXFT52N50P2
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT52N50P2
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
38692 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFT52N50P2.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFT52N50P2 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFT52N50P2, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFT52N50P2 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFT52N50P2 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268
Σειρά:HiPerFET™, PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 26A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):960W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:113nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):500V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 500V 52A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFT52N50P2

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFT70N15 Image IXFT70N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 Έρευνα
IXFT60N25Q Image IXFT60N25Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 60A TO-268 Έρευνα
IXFT58N20 Image IXFT58N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 Έρευνα
IXFT50N60X Image IXFT50N60X IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO268 Έρευνα
IXFT44N50Q3 Image IXFT44N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 Έρευνα
IXFT6N100F Image IXFT6N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 Έρευνα
IXFT52N30Q TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 52A TO268 Έρευνα
IXFT50N20 Image IXFT50N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 Έρευνα
IXFT50N60P3 Image IXFT50N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO268 Έρευνα
IXFT50N85XHV Image IXFT50N85XHV IXYS Corporation 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS Έρευνα
IXFT60N65X2HV IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFT52N30Q Image IXFT52N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 Έρευνα
IXFT6N100Q Image IXFT6N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 Έρευνα
IXFT50N30Q3 Image IXFT50N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 Έρευνα
IXFT58N20Q TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO268 Έρευνα
IXFT4N100Q Image IXFT4N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 Έρευνα
IXFT69N30P Image IXFT69N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 Έρευνα
IXFT58N20Q Image IXFT58N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 Έρευνα
IXFT50N50P3 Image IXFT50N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 Έρευνα
IXFT60N50P3 Image IXFT60N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 60A TO268 Έρευνα

Latest Ειδήσεις