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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFT4N100Q
IXFT4N100Q
IXFT4N100Q
Modèle de produit:
IXFT4N100Q
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45382 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFT4N100Q.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-268
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):150W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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