Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT13N80Q
IXFT13N80Q
IXFT13N80Q
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT13N80Q
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
47155 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFT13N80Q.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFT13N80Q είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFT13N80Q, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFT13N80Q μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFT13N80Q με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 6.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):250W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:3250pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:90nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 13A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-268
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFT13N80Q

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFT10N100 Image IXFT10N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 Έρευνα
IXFT14N100 Image IXFT14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 Έρευνα
IXFT15N100Q Image IXFT15N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 Έρευνα
IXFT12N100 Image IXFT12N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 Έρευνα
IXFT12N100F Image IXFT12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 Έρευνα
IXFT150N25X3HV Image IXFT150N25X3HV IXYS Corporation 250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT13N100 Image IXFT13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 Έρευνα
IXFT140N20X3HV Image IXFT140N20X3HV IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT12N90Q Image IXFT12N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 Έρευνα
IXFT120N15P Image IXFT120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Έρευνα
IXFT150N30X3HV Image IXFT150N30X3HV IXYS Corporation 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT140N10P Image IXFT140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 Έρευνα
IXFT150N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFT120N25X3HV Image IXFT120N25X3HV IXYS Corporation 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT15N100Q3 Image IXFT15N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 Έρευνα
IXFT150N20T Image IXFT150N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 Έρευνα
IXFT12N100Q Image IXFT12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 Έρευνα
IXFT14N80P Image IXFT14N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 Έρευνα
IXFT100N30X3HV Image IXFT100N30X3HV IXYS Corporation 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT120N30X3HV Image IXFT120N30X3HV IXYS Corporation 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα

Latest Ειδήσεις