Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT120N30X3HV
IXFT120N30X3HV
IXFT120N30X3HV
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT120N30X3HV
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
29799 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFT120N30X3HV.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFT120N30X3HV είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFT120N30X3HV, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFT120N30X3HV μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFT120N30X3HV με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268HV
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 60A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):735W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:10.5nF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:170nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):300V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 300V 120A (Tc) 735W (Tc) Surface Mount TO-268HV
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFT120N30X3HV

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFT14N100 Image IXFT14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 Έρευνα
IXFR80N60P3 Image IXFR80N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247 Έρευνα
IXFT100N30X3HV Image IXFT100N30X3HV IXYS Corporation 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFR80N50Q3 Image IXFR80N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 Έρευνα
IXFT140N20X3HV Image IXFT140N20X3HV IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT12N90Q Image IXFT12N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 Έρευνα
IXFR90N30 Image IXFR90N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247 Έρευνα
IXFT120N25X3HV Image IXFT120N25X3HV IXYS Corporation 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT14N80P Image IXFT14N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 Έρευνα
IXFR90N20Q Image IXFR90N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247 Έρευνα
IXFT10N100 Image IXFT10N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 Έρευνα
IXFT12N100Q Image IXFT12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 Έρευνα
IXFR9N80Q Image IXFR9N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247 Έρευνα
IXFT13N100 Image IXFT13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 Έρευνα
IXFT12N100F Image IXFT12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 Έρευνα
IXFT120N15P Image IXFT120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Έρευνα
IXFT140N10P Image IXFT140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 Έρευνα
IXFT12N100 Image IXFT12N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 Έρευνα
IXFR90N20 Image IXFR90N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 Έρευνα
IXFT13N80Q Image IXFT13N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 Έρευνα

Latest Ειδήσεις