Το IXFN80N50P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFN80N50P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFN80N50P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFN80N50P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFN80N50P
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFN80N50P
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 29808 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFN80N50P.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 8mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-227B |
| Σειρά: | PolarHV™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 500mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 700W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 12700pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 195nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 500V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 500V 66A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFN80N50P
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP10N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | Έρευνα |
 |
IXFN72N55Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN80N48 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN66N85X | IXYS Corporation | 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS | Έρευνα |
|
IXFN80N50Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN66N50Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN90N30 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN80N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN94N50P2 | IXYS Corporation | 500V POLAR2 HIPERFETS | Έρευνα |
|
IXFN70N120SK | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Έρευνα |
|
IXFN80N50Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN82N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN64N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN80N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFP102N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 | Έρευνα |
|
IXFN73N30Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN82N60Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN90N85X | IXYS Corporation | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | Έρευνα |
|
IXFN73N30 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN70N60Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό