Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFN80N60P3
IXFN80N60P3
IXFN80N60P3
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFN80N60P3
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
48628 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFN80N60P3.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFN80N60P3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFN80N60P3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFN80N60P3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFN80N60P3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SOT-227B
Σειρά:HiPerFET™, Polar3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):960W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-227-4, miniBLOC
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):Not Applicable
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:13100pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:190nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFN80N60P3

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFN80N50P Image IXFN80N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 Έρευνα
IXFN73N30 Image IXFN73N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Έρευνα
IXFP110N15T2 Image IXFP110N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 Έρευνα
IXFN82N60Q3 Image IXFN82N60Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 Έρευνα
IXFN70N120SK Image IXFN70N120SK IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFN82N60P Image IXFN82N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B Έρευνα
IXFN80N50 Image IXFN80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Έρευνα
IXFP10N80P Image IXFP10N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 Έρευνα
IXFN70N60Q2 Image IXFN70N60Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B Έρευνα
IXFN80N50Q2 Image IXFN80N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Έρευνα
IXFN90N30 Image IXFN90N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B Έρευνα
IXFP10N60P Image IXFP10N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Έρευνα
IXFN94N50P2 Image IXFN94N50P2 IXYS Corporation 500V POLAR2 HIPERFETS Έρευνα
IXFN73N30Q Image IXFN73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Έρευνα
IXFP12N50P Image IXFP12N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 Έρευνα
IXFP102N15T Image IXFP102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 Έρευνα
IXFN90N85X Image IXFN90N85X IXYS Corporation 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P Έρευνα
IXFN72N55Q2 Image IXFN72N55Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B Έρευνα
IXFN80N50Q3 Image IXFN80N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 Έρευνα
IXFN80N48 Image IXFN80N48 IXYS Corporation MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B Έρευνα

Latest Ειδήσεις