IXFN80N50P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFN80N50P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFN80N50P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFN80N50P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFN80N50P
- رقم القطعة:
- IXFN80N50P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29808 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFN80N50P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 65 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 700W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 195nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 500V 66A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN80N50P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP10N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFN72N55Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN80N48 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN66N85X | IXYS Corporation | 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
|
IXFN80N50Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN66N50Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN90N30 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN80N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN94N50P2 | IXYS Corporation | 500V POLAR2 HIPERFETS | تحقيق |
|
IXFN70N120SK | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXFN80N50Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN82N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN64N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN80N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFP102N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 | تحقيق |
|
IXFN73N30Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN82N60Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN90N85X | IXYS Corporation | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | تحقيق |
|
IXFN73N30 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN70N60Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق