العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN66N85X
IXFN66N85X
IXFN66N85X
رقم القطعة:
IXFN66N85X
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
41065 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXFN66N85X.pdf
تحقيق

المقدمة

IXFN66N85X متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFN66N85X، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFN66N85X عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFN66N85X مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:65 mOhm @ 33A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):830W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:8900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:230nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):850V
وصف تفصيلي:N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN66N85X

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN70N120SK Image IXFN70N120SK IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 تحقيق
IXFN70N60Q2 Image IXFN70N60Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B تحقيق
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق
IXFN72N55Q2 Image IXFN72N55Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B تحقيق
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
IXFN80N50P Image IXFN80N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 تحقيق
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
IXFN55N50F Image IXFN55N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B تحقيق
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B تحقيق
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B تحقيق
IXFN80N48 Image IXFN80N48 IXYS Corporation MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B تحقيق
IXFN80N50 Image IXFN80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B تحقيق
IXFN73N30Q Image IXFN73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B تحقيق
IXFN56N90P Image IXFN56N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B تحقيق
IXFN80N50Q3 Image IXFN80N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 تحقيق
IXFN73N30 Image IXFN73N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B تحقيق
IXFN80N50Q2 Image IXFN80N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B تحقيق

Latest الأخبار