العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN64N50PD3
IXFN64N50PD3
IXFN64N50PD3
رقم القطعة:
IXFN64N50PD3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
43258 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXFN64N50PD3.pdf
تحقيق

المقدمة

IXFN64N50PD3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFN64N50PD3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFN64N50PD3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFN64N50PD3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:85 mOhm @ 32A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):625W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:11000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:186nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف تفصيلي:N-Channel 500V 50A (Tc) 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN64N50PD3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B تحقيق
IXFN70N60Q2 Image IXFN70N60Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B تحقيق
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق
IXFN520N075T2 Image IXFN520N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 تحقيق
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS Corporation 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
IXFN80N50 Image IXFN80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B تحقيق
IXFN55N50F Image IXFN55N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B تحقيق
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 تحقيق
IXFN72N55Q2 Image IXFN72N55Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B تحقيق
IXFN73N30 Image IXFN73N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B تحقيق
IXFN55N50 Image IXFN55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B تحقيق
IXFN80N48 Image IXFN80N48 IXYS Corporation MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B تحقيق
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B تحقيق
IXFN52N90P Image IXFN52N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
IXFN70N120SK Image IXFN70N120SK IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXFN56N90P Image IXFN56N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B تحقيق
IXFN73N30Q Image IXFN73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B تحقيق

Latest الأخبار