Το IXDN414YI είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXDN414YI, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXDN414YI μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXDN414YI με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXDN414YI
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXDN414YI
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55240 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXDN414YI.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 35 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-263 (D²Pak) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 22ns, 20ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 0.8V, 3.5V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Non-Inverting |
| Τύπος πύλης: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Low-Side |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263 (D²Pak) |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 14A, 14A |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Single |
| Αριθμός μέρους βάσης: | IXD*414 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXDN414YI
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDN414SI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A14SOIC | Έρευνα |
|
IXDN404SIA | IXYS Corporation | IC DUAL GATE DRIVER 4A 8 SOIC | Έρευνα |
|
IXDN409CI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDN430MYI | IXYS Corporation | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 | Έρευνα |
|
IXDN409SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN414CI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5 | Έρευνα |
|
IXDN502SIA | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 2A 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN430CI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDN430MCI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDN504D1 | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 4A 6-DFN | Έρευνα |
|
IXDN409SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN502SIAT/R | IXYS Corporation | IC MOSF DRIVER FAST DUAL 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN502D1 | IXYS Corporation | IC GATE DRIVER DUAL 2A 6-DFN | Έρευνα |
|
IXDN409PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDN404SI-16 | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC | Έρευνα |
|
IXDN430YI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDN409YI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDN414PI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP | Έρευνα |
 |
IXDN502D1T/R | IXYS Corporation | IC MOSF DRIVER FAST DUAL 6-DFN | Έρευνα |
|
IXDN502PI | IXYS Corporation | IC MOSF DRIVER FAST DUAL 8-DIP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική