Το IXDN409SI είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXDN409SI, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXDN409SI μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXDN409SI με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXDN409SI
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXDN409SI
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 37412 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXDN409SI.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 35 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SOIC |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 10ns, 10ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 0.8V, 3.5V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Non-Inverting |
| Τύπος πύλης: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Low-Side |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 9A, 9A |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Single |
| Αριθμός μέρους βάσης: | IXD*409 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXDN409SI
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDN414CI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5 | Έρευνα |
|
IXDN409CI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDN404SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN409PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDN414SI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A14SOIC | Έρευνα |
 |
IXDI630YI | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO263 | Έρευνα |
|
IXDN409SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN430MCI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDN402SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN404SIA | IXYS Corporation | IC DUAL GATE DRIVER 4A 8 SOIC | Έρευνα |
|
IXDN409YI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDN402SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | Έρευνα |
|
IXDN404PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP | Έρευνα |
|
IXDN404SI-16 | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC | Έρευνα |
|
IXDN402PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDN430CI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Έρευνα |
|
IXDN414PI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDN430YI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | Έρευνα |
|
IXDN430MYI | IXYS Corporation | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 | Έρευνα |
|
IXDN414YI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο