Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - συστοιχίες, προ-προκ > IMD3AT108
IMD3AT108
IMD3AT108
Αριθμός εξαρτήματος:
IMD3AT108
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
50182 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.IMD3AT108.pdf2.IMD3AT108.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IMD3AT108 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IMD3AT108, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IMD3AT108 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IMD3AT108 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistor Τύπος:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SMT6
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):10 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1):10 kOhms
Ισχύς - Max:300mW
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SC-74, SOT-457
Αλλα ονόματα:IMD3AT108TR
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:10 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:250MHz
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Αριθμός μέρους βάσης:*MD3
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IMD3AT108

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IMD9AT108 Image IMD9AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
IMD24C Crouzet IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M Έρευνα
IMD22C Crouzet IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M Έρευνα
IMD14T108 Image IMD14T108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
IMD16AT108 Image IMD16AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
XN0421500L Image XN0421500L Panasonic TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 Έρευνα
IMD14C Crouzet IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M Έρευνα
PEMD13,115 Image PEMD13,115 Nexperia TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Έρευνα
IMD12C Crouzet IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M Έρευνα
IMD10AMT1G Image IMD10AMT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R Έρευνα
IMD23T108 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74 Έρευνα
PUML1,115 NXP Semiconductors / Freescale TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP Έρευνα
IMD8AT108 Image IMD8AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
NSVMUN5213DW1T3G Image NSVMUN5213DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6 Έρευνα
IMD2AT108 Image IMD2AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
IMD6AT108 Image IMD6AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
IMD10AT108 Image IMD10AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
RN4982,LF(CT Image RN4982,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Έρευνα
IMD1AT108 Image IMD1AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Έρευνα
SMUN5314DW1T1G Image SMUN5314DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Έρευνα

Latest Ειδήσεις